Научная сессия и заседание Учёного совета

Повестка дня:

1. Р.И. Баталов, В.В. Базаров, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Г.А. Новиков, В.А. Шустов (КФТИ ФИЦ КазНЦ РАН), К.Н. Галкин (ИАПУ ДВО РАН), И.Б. Чистохин (ИФП СО РАН), Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, И.Н. Пархоменко (БГУ, Минск, Беларусь)

«Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств кремния, имплантированного ионами индия и сурьмы и подвергнутого импульсному ионному отжигу»

(доклад по статье в журнал «Поверхность»)

С целью синтеза в приповерхностной области монокристалла Si слоя узкозонного антимонида индия (InSb) проведена последовательная высокодозная имплантация Si ионами In⁺ и Sb⁺ (энергия 30 кэВ, доза 2×10¹⁶ см^-2) на ускорителе ИЛУ-3. Отжиг имплантированных слоёв Si:(In+Sb) в жидкофазном режиме через стадии быстрого расплава и кристаллизации проведён мощным импульсным (~ 100 нс) ионным пучком (C⁺/H⁺, энергия 300 кэВ, плотность энергии импульса 1.0 Дж/см²) на ускорителе ТЕМП. Методом Резерфордовского обратного рассеяния исследовано глубинное распределение внедрённых атомов. С помощью методов рентгеновской дифракции и рамановского рассеяния установлено образование фазы InSb. Спектр ИК-отражения позволил оценить концентрацию электронов в слое (2х10²⁰ см^-3), а спектр ИК-поглощения показал наличие интенсивной полосы поглощения при 3.8 мкм. Исследования фототока на диодной структуре показали сдвиг края фоточувствительности до 1240 нм по сравнению с типовым Si-фотодиодом (ФД-24).

2. Разное.