1. Кандрашкин Ю.Е.Усиление интеркомбинационных переходов хромофора за счет резонансного переноса энергии на удалённый спин (по статье Kandrashkin, Yuri E., and Art van der Est. 2021. “Enhanced Intersystem Crossing Due to Resonant Energy Transfer to a Remote Spin.” The Journal of Physical Chemistry Letters 12 (30): 7312–18. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.1c02032.)
Предложен новый механизм интеркомбинационных переходов (ИКП) в связанных трехспиновых системах, состоящих из хромофора и присоединенного радикала. Показано, что энергия возбужденного состояния хромомфора может перейти на радикал, при наличии спин-орбитального взаимодействия радикала и разных значений обменного парамагнитной частицы с двумя неспаренными электронами хромофора. Этот перенос энергии сопровождается синглет-триплетным ИКП на хромофоре. Эффективность этого процесса резко возрастает, когда энергия электронного возбуждения радикала близка к расщеплению состояний S1-T1 хромофора. Обсуждаются системы, в которых может проявиться этот механизм.
Экспериментально изучены фотофизические свойства ряда «закрученных» молекул- хромофоров. Обсуждаются возможные механизмы поляризации электронных спинов возбужденных триплетов и влияние геометрии молекул на эффективность интеркомбинационных переходов S1-T1.
1. И.И. Гумарова, Р.Ф. Мамин"Ab initio исследование гетероструктур на основе сегнетоэлектрических оксидов" (доклад по 2 статьям)
Аннотация
Изобретение диодов, транзисторов и микропроцессоров стало одним из ключевых технологических достижений прошлого столетия. Так, благодаря им, у всех нас есть смартфоны, пк и многие другие девайсы. Однако, сегодня дальнейший прогресс в этом направлении приостановился, или другими словами: рост производительности вышел на плато, поскольку было достигнуто пороговое значение размеров затвора транзистора, в 2 нм, ниже которого имеет место быть эффект квантового туннелирования электронов, мешающий работе транзисторов. В связи с этим задача поиска новых альтернативных материалов особо актуальна. И ключевым способом осуществления этого поиска является компьютерное моделирование, которое позволяет с высокой точностью прогнозировать структуру и свойства новый материалов.
С помощью этого метода, а именно с помощью теории функционала плотности, мы осуществляем поиск среди гетероструктур на основе оксидов переходных металлов, в том числе сегнетоэлектриков, с целью обнаружения интерфейсной проводимости, нетривиальных магнитных и оптических свойств. Так, в рамках доклада будут представлены результаты моделирования гетероструктур LaMnO3/BaTiO3 и Si/BaTiO3, а именно, их структурные, электронные и магнитные свойства.
Рецензент: Р. Шахмуратов
2. А.Л. Степанов. Создание и модификация слоев нанопористого германия при различных температурных условиях (обзор по публикациям)
1. Усеинов Ниязбек Хамзович ( доцент кафедры общей физики, Института физики, КФУ). Теория спин-поляризованной проводимости и магнитосопротивления в магнитных наногетероструктурах (по материалам докторской диссертации)
Представлены результаты исследований, проведённых автором в течение последних 15 лет. Тематика исследований охватывает круг проблем, связанных со спин-поляризованным транспортом при процессах перемагничивания в магнитных гетероструктурах наноразмерного масштаба, где различные ферромагнитные слои разделены металлами, полупроводниками или диэлектриками.
Объектами исследований являются наноструктуры: точечные контакты (спиновые клапаны), магнитные туннельные контакты, магнитные симметричные и несимметричные двухбарьерные гетероструктуры (туннельные переходы), туннельные контакты с наночастицами, которые в настоящее время при соответствующем оборудовании могут быть синтезированы. В представленной работе рассчитываются спинтронные эффекты, такие как гигантское магнитосопротивление (ГМС), баллистическое магнитосопротивление (БМС) с переворотом спина электрона проводимости, туннельное магнитосопротивление (ТМС) и перенос спинового момента (ПСМ) в наноструктурах с коллинеарным и неколлинеарным магнитным порядком.
1. Алексеев А.В., Гумаров Г.Г., Петухов В.Ю., Лис О.Н., Бакиров М.М."Роль температуры при формировании наведённой магнитной анизотропии в процессе ионно-лучевого синтеза силицидов железа"
Аннотация: Исследования методом ФМР были проведены для определения константы наведённой анизотропии и намагниченности насыщения для случая тонких плёнок силицида железа, полученных метдом ионно-лучевого синтеза во внешнем магнитном поле. Данные значения были использованы для расчётов в рамках предполагаемой модели наведённой магнитной анизотропии Нееля-Танигучи. Применимость данной модели подтверждается экспериментами по повороту направления намагниченности путём повторной имплантации с низкой дозой во внешнем магнитном поле. Для исследованных образцов характерна обратно-пропорциональная температурная зависимость константы магнитной анизотропии. Полагается, что одной из причин данной температурной зависимости является наличие микронапряжений на границе раздела с кремнием. Расчёт коэффициента диполь-дипольного взаимодействия учитывает, что процесс формирования наведённой анизотропии происходит при температурах достаточных для диффузии атомов, которые значительно превышают температуру подложки в процессе ИЛС. При этом в процессе имплантации в области каскада столкновений коэффициент атомной диффузии соответствует динамической температуре порядка 4000 К. Расчётное значение коэффициента диполь-дипольного взаимодействия системы Fe-Si в процессе ионной имплантации согласуется с результатами расчётов для магнитных сплавов с наведённой магнитной анизотропией.
Рецензент: Файзрахманов Ильдар Абдулкабирович
2. Выборы представителей КФТИ в Объединенный научный совет ФИЦ КазНЦ РАН
