Достижения Доп. раздел |
Патент РФ на изобретение №2687889"Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников" |
Достижения Доп. раздел |
Патент РФ на изобретение №2687889"Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников" |