Лаборатория интенсивных радиационных воздействий

1. Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Новиков Г.А., Шустов В.А., Лядов Н.М., Новиков А.В., Бушуйкин П.А., Байдакова Н.А., Дроздов М.Н., Юнин П.А.: Импульсный ионный отжиг германия,имплантированного ионами сурьмы. Автометрия 55, № 5, 5–13 (2019)
2. Баталов Р.И., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Нургазизов Н.И., Бухараев А.А., Ивлев Г.Д., Степанов А.Л.: Фотоэлектрические свойства композитных слоев Si с наночастицами Ag, полученных ионной имплантацией и лазерным отжигом. Оптика и спектроскопия 126, № 2, 214–219 (2019)

1. Ananchenko D.V., Nikiforov S.V., Ramazanova G.R., Batalov R.I., Bayazitov R.M., Novikov A.: Luminescence of sapphire single crystals irradiated with high power ion beams. J. Phys.: Conf. Ser. 1115, 052027 (1–6) (2018)
2. Batalov R.I., Bayazitov R.M., Novikov H.A., Faizrakhmanov I.A., Shustov V.A., Ivlev G.D.: Nanosecond-pulse annealing of heavily doped Ge:Sb layers on Ge substrates. Russian Microelectronics 47, no. 5. 354–363 (2018)
3. Баталов Р.И., Воробьёв В.В., Нуждин В.И., Валеев В.Ф., Бизяев Д.А., Бухараев А.А., Баязитов Р.М., Осин Ю.Н., Ивлев Г.Д., Степанов А.Л.: Воздействие импульсного лазерного излучения на слои Si с высокой дозой имплантированных ионов Ag⁺. Оптика и спектр. 125, № 4, 549–555 (2018)

1. Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев. Формирование напряженных и сильно легированных слоев германия для микро- и оптоэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры XXI век, Изд. Радиотехника, Т.7, №4, с.32-38 (2016).
2. Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев. Формирование напряженных и сильно легированных слоев германия для микро- и оптоэлектроники // Наноматериалы и наноструктуры XXI век, Изд. Радиотехника, Т.7, №4, с.32-38 (2016).
3. H.A. Novikov, R.M. Bayazitov, R.I. Batalov, I.A. Faizrakhmanov, G.D. Ivlev, S.L. Prokop'ev. Experimental Study and Simulation of the Structure-Phase Transitions in Deposited Ge Layers During Pulsed Laser Annealing // Solid State Phenom., Vol. 249, pp. 24-29 (2016).
4. D.V. Fomin, V.L. Dubov, K.N. Galkin, D.L. Goroshko, A.M. Maslov, N.G. Galkin, R.I. Batalov, V.A. Shustov. Formation, structure and optical properties of nanocrystalline BaSi2 films on Si(111) substrate // Solid State Phenom., Vol. 245, p.42-48 (2016).

1. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, Н.Г. Галкин, И.М. Чернев, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, П.И. Гайдук. Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: Структура и оптические свойства // ФТП, Т.49(№6), с.746-752 (2015).
2. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев. Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких пленках германия на кремнии, сапфире и кварце // ЖТФ, Т.85(№3), с.89-95 (2015) .

1. Н.К. Андреев, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Т.Н. Львова. Нанотехнологии и микроэлектронные устройства // Коллективная монография «Наноматериалы и нанотехнологии в энергетике», с. 201-208, под ред. Э.В. Шамсутдинова и О.С. Зуевой, в 2 т., Т.II, Казань: Изд. КГЭУ, 2014, 376 с.

1. D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, A.V. Shevlyagin, M.V. Bozhenko, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, N.G. Galkin. Enhancement of near IR sensitivity of Silicon-silicide based hotodetectors // Physica Status Solidi C, v.10. No.12, P.1844-1846 (2013).
2. K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, S.L. Prokopyev. Structural and optical properties of magnetron sputtered and pulsed beam annealed Ge/Si layers // Physica Status Solidi C, v.10. No.12, P.1824-1827 (2013).
3. Н.Г. Галкин, С.В. Ваванова, К.Н. Галкин, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.И. Нуждин. Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния // ЖТФ, Т.83, вып.1, С.99-104 (2013).

1. S.V. Vavanova, K.N. Galkin, N.G. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov. Synthesis of Mg2Si precipitates in Mg-implanted silicon by pulsed ion-beam treatment // Physics Procedia, v.23 p. 45–48 (2012).
2. R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, V.F. Valeev, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, K.N. Galkin, S.V. Vavanova, A.M. Maslov, E.A. Chusovitin, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Formation of nanocrystalline CrSi2 layers in Si by ion implantation and pulsed annealing // Physics Procedia, V.11, p.43-46 (2011).
3. Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.И. Нуждин, П.И. Гайдук, С.Л. Прокопьев, Г.Д. Ивлев. Особенности импульсного отжига слоев кремния, имплантированных ионами германия // Изв. Вузов. Физика, Т.54, №1/2, С. 59-65 (2011).
4.   Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов, Р.М. Нурутдинов. Импульсный синтез соединений для кремниевой оптоэлектроники // Изв. Вузов. Физика. Т.54, №1/2, С.66-73 (2011).
5.   Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, К.Н. Галкин, С.В. Ваванова, И.А. Петрушкин, А.М.Маслов, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.А. Шустов. Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi2/Si(111) // ЖТФ, 2010, Т.80, №7, С.122-130.
6.   Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Новиков Г.А., Шустов В.А., Осин Ю.Н., Шляхова А.Г.: Образование силицидов в системе Fe/Si под действием импульсных излучений. Хим. физика и мезоскопия 11, № 4, 452-458 (2009)
7.   Чусовитин Е.А., Ваванова С.В., Петрушкин И.А., Галкин Н.Г., Баязитов Р.М., Баталов Р.И., Ивлев Г.Д., Шамирзаев Т.С.: Влияние импульсного лазерного отжига на рост кремния и оптические свойства гетероструктуры Si/β-FeSi2/Si, изготовленной методами ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии. Хим. физика и мезоскопия 11, № 3, 374-385 (2009)
8.   Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Крыжков Д.И., Гайдук П.И., Гацкевич Е.И., Ивлев Г.Д., Маркуш К.П., Алвеш Э.: Фазовые переходы в кремнии, имплантированном эрбием, при воздействии лазерного излучения. Журн. прикл. спектроскопии 76, № 2, 225-231 (2009)
9.   Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Нурутдинов Р.М., Крыжков Д.И., Гайдук П.И., Маркуш К.П., Алвеш Э.: Особенности импульсной обработки слоёв кремния, имплантированных ионами эрбия. Поверхность, синхротронные и нейронные исслед. № 8, 40-44 (2009)
10.   Баязитов Р.М.: Фотовозбуждение и нагрев при лазерной обработке кремниевых структур. Изв. ВУЗов. Физика 51, № 11/2, с. 212-218 (2008)
11.   Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Чусовитин Е.А., Полярный В.О., Баязитов Р.М., Баталов Р.И.: Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур. ЖТФ 78, вып. 2, 84-90 (2008)
12. Ivlev G.D., Gatzkevich E.I., Bayazitov R.M., Batalov R.I., Khaibullin I.B.: Dynamics of photo-ionization, heating and crystallization of implanted silicon during laser annealing. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 257, 208-211 (2007)
13. Galkin N.G., Chusovitin E.A., Goroshko D.L., Bayazitov R.M., Batalov R.I., Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S.: Morphological, structural and luminescence properties of Si/β-FeSi2/Si heterostructures fabricated by Fe ion implantation and Si MBE. J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 5319-5326 (2007)
14.   Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Нурутдинов Р.М.: Формирование и свойства тонкоплёночных полупроводниковых соединений на основе кремния на кремнии с использованием ионной имплантации и импульсных воздействий. Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники 1, 28-34 (2006)
15.   Баязитов Р.М.: Импульсная модификация тонкопленочных полупроводниковых структур. Состояние и перспективы. Вестн. ДВО РАН № 6, 78-86 (2005)
16.   Хуснуллин Н.М., Ивойвов Н.Г., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Гумаров Г.Г.: Особенности рентгенофлуоресцентного определения железа, ионно-имплантированного в монокристаллический кремний. Поверхность. Рентгеноские, синхротронные и нейтронные исслед. № 12, 20-23 (2005)
17.   Bayazitov R., Batalov R., Nurutdinov R., Shustov V., Gaiduk P., Dezsi I., Kotai E.: Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams. Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 240, no. 1-2, 224-228 (2005)
18. Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Хуснуллин Н.М., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Мосина Г.Н., Андреев Б.А., Крыжков Д.И.: Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния. ФТТ 47, № 1, 5-8 (2005)

420029, Казань, ул. Сибирский тракт, д. 10/7

Тел. +7 (843) 272-05-03

Факс. +7 (843) 272-50-75

E-mail: phys-tech@kfti.knc.ru